Toshiba TK N-Channel MOSFET, 62 A, 600 V, 3-Pin TO-247 TK62N60W,S1VF(S
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
62 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Серия
TK
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
40 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.7V
Максимальное рассеяние мощности
400 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Ширина
5.02мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.94мм
Типичный заряд затвора при Vgs
180 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
20.95мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
тг 3 392,73
тг 3 392,73 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 3 392,73
тг 3 392,73 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 9 | тг 3 392,73 |
| 10 - 19 | тг 2 713,29 |
| 20 - 29 | тг 2 467,44 |
| 30 - 59 | тг 2 266,29 |
| 60+ | тг 1 939,98 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
62 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Серия
TK
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
40 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.7V
Максимальное рассеяние мощности
400 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Ширина
5.02мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.94мм
Типичный заряд затвора при Vgs
180 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
20.95мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре