Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
105 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
TK
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
5,4 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4.45мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.16мм
Типичный заряд затвора при Vgs
46 нКл при 10 В
Высота
15.1мм
Информация о товаре
MOSFET Transistors, Toshiba
тг 2 637,30
тг 527,46 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 2 637,30
тг 527,46 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
5 - 20 | тг 527,46 | тг 2 637,30 |
25 - 245 | тг 451,47 | тг 2 257,35 |
250 - 695 | тг 393,36 | тг 1 966,80 |
700 - 1395 | тг 263,73 | тг 1 318,65 |
1400+ | тг 223,50 | тг 1 117,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
105 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
TK
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
5,4 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4.45мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.16мм
Типичный заряд затвора при Vgs
46 нКл при 10 В
Высота
15.1мм
Информация о товаре