Toshiba TK N-Channel MOSFET, 105 A, 60 V, 3-Pin TO-220 TK58E06N1

Код товара RS: 796-5106Бренд: ToshibaПарт-номер производителя: TK58E06N1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

105 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

TK

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

5,4 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

110 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.45мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.16мм

Типичный заряд затвора при Vgs

46 нКл при 10 В

Высота

15.1мм

Информация о товаре

MOSFET Transistors, Toshiba

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 637,30

тг 527,46 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 105 A, 60 V, 3-Pin TO-220 TK58E06N1
Select packaging type

тг 2 637,30

тг 527,46 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 105 A, 60 V, 3-Pin TO-220 TK58E06N1
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 527,46тг 2 637,30
25 - 245тг 451,47тг 2 257,35
250 - 695тг 393,36тг 1 966,80
700 - 1395тг 263,73тг 1 318,65
1400+тг 223,50тг 1 117,50

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

105 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

TK

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

5,4 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

110 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.45мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.16мм

Типичный заряд затвора при Vgs

46 нКл при 10 В

Высота

15.1мм

Информация о товаре

MOSFET Transistors, Toshiba