Toshiba TK35E08N1 MOSFET

Код товара RS: 168-7774Бренд: ToshibaПарт-номер производителя: TK35E08N1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

55 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Серия

TK

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

12,2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

72 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

4.45мм

Длина

10.16мм

Типичный заряд затвора при Vgs

25 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

15.1мм

Страна происхождения

Japan

Информация о товаре

MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Вас может заинтересовать
Toshiba TK N-Channel MOSFET, 55 A, 80 V, 3-Pin TO-220 TK35E08N1
P.O.A.Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Toshiba TK35E08N1 MOSFET

P.O.A.

Toshiba TK35E08N1 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Вас может заинтересовать
Toshiba TK N-Channel MOSFET, 55 A, 80 V, 3-Pin TO-220 TK35E08N1
P.O.A.Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

55 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Серия

TK

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

12,2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

72 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

4.45мм

Длина

10.16мм

Типичный заряд затвора при Vgs

25 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

15.1мм

Страна происхождения

Japan

Информация о товаре

MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Вас может заинтересовать
Toshiba TK N-Channel MOSFET, 55 A, 80 V, 3-Pin TO-220 TK35E08N1
P.O.A.Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)