Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
55 A
Максимальное напряжение сток-исток
80 V
Серия
TK
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
12,2 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
72 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
4.45мм
Длина
10.16мм
Типичный заряд затвора при Vgs
25 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
15.1мм
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
55 A
Максимальное напряжение сток-исток
80 V
Серия
TK
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
12,2 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
72 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
4.45мм
Длина
10.16мм
Типичный заряд затвора при Vgs
25 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
15.1мм
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре