N-Channel MOSFET, 55 A, 80 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK35E08N1

Код товара RS: 796-5080Бренд: ToshibaПарт-номер производителя: TK35E08N1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

55 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Серия

TK

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

12,2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

72 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.16мм

Типичный заряд затвора при Vgs

25 нКл при 10 В

Ширина

4.45мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

15.1мм

Информация о товаре

MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Вас может заинтересовать
STMicroelectronics STP55NF06L MOSFET
тг 545,34Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 442,53

Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 55 A, 80 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK35E08N1
Select packaging type

тг 442,53

Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 55 A, 80 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK35E08N1
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 442,53тг 2 212,65
25 - 245тг 379,95тг 1 899,75
250 - 945тг 330,78тг 1 653,90
950 - 1895тг 219,03тг 1 095,15
1900+тг 183,27тг 916,35
Вас может заинтересовать
STMicroelectronics STP55NF06L MOSFET
тг 545,34Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

55 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Серия

TK

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

12,2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

72 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.16мм

Типичный заряд затвора при Vgs

25 нКл при 10 В

Ширина

4.45мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

15.1мм

Информация о товаре

MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Вас может заинтересовать
STMicroelectronics STP55NF06L MOSFET
тг 545,34Each (In a Pack of 5) (ex VAT)