Toshiba TK30E06N1,S1X(S MOSFET

Код товара RS: 125-0562Бренд: ToshibaПарт-номер производителя: TK30E06N1,S1X(S
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

43 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

15 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

53 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.45мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

10.16мм

Типичный заряд затвора при Vgs

10 нКл при 10 В

Высота

15.1мм

Серия

U-MOSVIII-H

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Вас может заинтересовать
N-Channel MOSFET, 43 A, 60 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK30E06N1
тг 290,55Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Toshiba TK30E06N1,S1X(S MOSFET

P.O.A.

Toshiba TK30E06N1,S1X(S MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Вас может заинтересовать
N-Channel MOSFET, 43 A, 60 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK30E06N1
тг 290,55Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

43 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

15 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

53 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.45мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

10.16мм

Типичный заряд затвора при Vgs

10 нКл при 10 В

Высота

15.1мм

Серия

U-MOSVIII-H

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Вас может заинтересовать
N-Channel MOSFET, 43 A, 60 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK30E06N1
тг 290,55Each (In a Pack of 5) (ex VAT)