Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
43 А
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
15 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
53 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4.45мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
10.16мм
Типичный заряд затвора при Vgs
10 нКл при 10 В
Высота
15.1мм
Серия
U-MOSVIII-H
Прямое напряжение диода
1.2V
Информация о товаре
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
43 А
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
15 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
53 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4.45мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
10.16мм
Типичный заряд затвора при Vgs
10 нКл при 10 В
Высота
15.1мм
Серия
U-MOSVIII-H
Прямое напряжение диода
1.2V
Информация о товаре