Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
30 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
TO-220SIS
Серия
TK
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
15 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
25 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Длина
10мм
Типичный заряд затвора при Vgs
16 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
4.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Высота
15мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
тг 2 503,20
тг 250,32 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 2 503,20
тг 250,32 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 10 - 90 | тг 250,32 | тг 2 503,20 |
| 100 - 190 | тг 201,15 | тг 2 011,50 |
| 200 - 360 | тг 183,27 | тг 1 832,70 |
| 370 - 740 | тг 165,39 | тг 1 653,90 |
| 750+ | тг 143,04 | тг 1 430,40 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
30 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
TO-220SIS
Серия
TK
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
15 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
25 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Длина
10мм
Типичный заряд затвора при Vgs
16 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
4.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Высота
15мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
