Toshiba TK N-Channel MOSFET, 30 A, 60 V, 3-Pin TO-220SIS TK30A06N1,S4X(S

Код товара RS: 827-6179Бренд: ToshibaПарт-номер производителя: TK30A06N1,S4X(S
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

30 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

TO-220SIS

Серия

TK

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

15 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

25 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Длина

10мм

Типичный заряд затвора при Vgs

16 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

4.5мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

15мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

тг 2 503,20

тг 250,32 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 30 A, 60 V, 3-Pin TO-220SIS TK30A06N1,S4X(S
Select packaging type

тг 2 503,20

тг 250,32 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 30 A, 60 V, 3-Pin TO-220SIS TK30A06N1,S4X(S

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 90тг 250,32тг 2 503,20
100 - 190тг 201,15тг 2 011,50
200 - 360тг 183,27тг 1 832,70
370 - 740тг 165,39тг 1 653,90
750+тг 143,04тг 1 430,40

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

30 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

TO-220SIS

Серия

TK

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

15 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

25 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Длина

10мм

Типичный заряд затвора при Vgs

16 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

4.5мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

15мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba