Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
20 А
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Серия
TK
Тип корпуса
TO-3PN
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
155 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.7V
Максимальное рассеяние мощности
165 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Ширина
4.5мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
48 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
20мм
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
MOSFET N-Channel, TK2x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
20 А
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Серия
TK
Тип корпуса
TO-3PN
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
155 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.7V
Максимальное рассеяние мощности
165 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Ширина
4.5мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
48 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
20мм
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре