Toshiba TK15S04N1L,LQ(O MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

15 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Серия

U-MOSVIII-H

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

37 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

46 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

6.5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

10 нКл при 10 В

Ширина

5.5мм

Количество элементов на ИС

1

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

2.3мм

Страна происхождения

Japan