Toshiba TK N-Channel MOSFET, 11.5 A, 600 V, 3-Pin TO-220 TK12E60W,S1VX(S

Код товара RS: 827-6113Бренд: ToshibaПарт-номер производителя: TK12E60W,S1VX(S
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

11,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

TK

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

300 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.7V

Максимальное рассеяние мощности

110 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.16мм

Типичный заряд затвора при Vgs

25 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Ширина

4.45мм

Высота

15.1мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

MOSFET Transistors, Toshiba

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 508,95

тг 701,79 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 11.5 A, 600 V, 3-Pin TO-220 TK12E60W,S1VX(S
Select packaging type

тг 3 508,95

тг 701,79 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 11.5 A, 600 V, 3-Pin TO-220 TK12E60W,S1VX(S
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 701,79тг 3 508,95
25 - 45тг 558,75тг 2 793,75
50 - 120тг 509,58тг 2 547,90
125 - 245тг 469,35тг 2 346,75
250+тг 402,30тг 2 011,50

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

11,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

TK

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

300 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.7V

Максимальное рассеяние мощности

110 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.16мм

Типичный заряд затвора при Vgs

25 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Ширина

4.45мм

Высота

15.1мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

MOSFET Transistors, Toshiba