Toshiba TK11P65W,RQ(S MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

11,1 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Серия

DTMOSIV

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

440 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

100 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Материал транзистора

Кремний

Длина

6.6мм

Типичный заряд затвора при Vgs

25 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

6.1мм

Количество элементов на ИС

1

Прямое напряжение диода

1.7V

Высота

2.3мм

Страна происхождения

Japan