Toshiba TK10A60W,S4VX(M MOSFET

Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
9,7 А
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Серия
DTMOSIV
Тип корпуса
TO-220SIS
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
380 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.7V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.7V
Максимальное рассеяние мощности
30 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
4.5мм
Длина
10мм
Типичный заряд затвора при Vgs
20 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Прямое напряжение диода
1.7V
Высота
15мм
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
MOSFET Transistors, Toshiba
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
9,7 А
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Серия
DTMOSIV
Тип корпуса
TO-220SIS
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
380 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.7V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.7V
Максимальное рассеяние мощности
30 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
4.5мм
Длина
10мм
Типичный заряд затвора при Vgs
20 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Прямое напряжение диода
1.7V
Высота
15мм
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре