Toshiba TK100A10N1,S4X(S МОП-транзистор (MOSFET)

Код товара RS: 827-6094PБренд: ToshibaПарт-номер производителя: TK100A10N1,S4X(S
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

TO-220SIS

Максимальное сопротивление сток-исток

3,8 мΩ

Максимальное рассеяние мощности

45 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

140 нКл при 10 В

Страна происхождения

China

Информация о товаре

MOSFET Transistors, Toshiba

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Toshiba TK100A10N1,S4X(S МОП-транзистор (MOSFET)
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

Toshiba TK100A10N1,S4X(S МОП-транзистор (MOSFET)
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

TO-220SIS

Максимальное сопротивление сток-исток

3,8 мΩ

Максимальное рассеяние мощности

45 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

140 нКл при 10 В

Страна происхождения

China

Информация о товаре

MOSFET Transistors, Toshiba