Toshiba TK N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 3-Pin TO-220SIS TK100A06N1,S4X(S

Код товара RS: 827-6097Бренд: ToshibaПарт-номер производителя: TK100A06N1,S4X(S
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

TK

Тип корпуса

TO-220SIS

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2,2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

45 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.5мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10мм

Типичный заряд затвора при Vgs

140 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

15мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

MOSFET Transistors, Toshiba

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 808,44

тг 952,11 Each (In a Pack of 4) (ex VAT)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 3-Pin TO-220SIS TK100A06N1,S4X(S
Select packaging type

тг 3 808,44

тг 952,11 Each (In a Pack of 4) (ex VAT)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 3-Pin TO-220SIS TK100A06N1,S4X(S
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
4 - 16тг 952,11тг 3 808,44
20 - 36тг 764,37тг 3 057,48
40 - 96тг 692,85тг 2 771,40
100 - 196тг 639,21тг 2 556,84
200+тг 545,34тг 2 181,36

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

TK

Тип корпуса

TO-220SIS

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2,2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

45 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.5мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10мм

Типичный заряд затвора при Vgs

140 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

15мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

MOSFET Transistors, Toshiba