Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
TK
Тип корпуса
TO-220SIS
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,2 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
45 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10мм
Типичный заряд затвора при Vgs
140 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
15мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
MOSFET Transistors, Toshiba
тг 3 808,44
тг 952,11 Each (In a Pack of 4) (ex VAT)
Стандартная упаковка
4
тг 3 808,44
тг 952,11 Each (In a Pack of 4) (ex VAT)
Стандартная упаковка
4
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
4 - 16 | тг 952,11 | тг 3 808,44 |
20 - 36 | тг 764,37 | тг 3 057,48 |
40 - 96 | тг 692,85 | тг 2 771,40 |
100 - 196 | тг 639,21 | тг 2 556,84 |
200+ | тг 545,34 | тг 2 181,36 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
TK
Тип корпуса
TO-220SIS
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,2 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
45 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10мм
Типичный заряд затвора при Vgs
140 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
15мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре