Toshiba TJ8S06M3L MOSFET

Код товара RS: 171-2415Бренд: ToshibaПарт-номер производителя: TJ8S06M3L
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

8 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

130 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

27 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +10 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

7мм

Длина

6.5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

19 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

2.3мм

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Страна происхождения

Japan

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Toshiba TJ8S06M3L MOSFET

P.O.A.

Toshiba TJ8S06M3L MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

8 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

130 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

27 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +10 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

7мм

Длина

6.5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

19 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

2.3мм

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Страна происхождения

Japan