Toshiba N-Channel MOSFET, 4.2 A, 20 V, 6-Pin UF6 SSM6K403TU

Код товара RS: 171-2490PБренд: ToshibaПарт-номер производителя: SSM6K403TU
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

4,2 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

UF

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

66 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.35V

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±10 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

2мм

Длина

1.7мм

Типичный заряд затвора при Vgs

16,8 нКл при 4 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.7мм

Страна происхождения

Thailand

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Toshiba N-Channel MOSFET, 4.2 A, 20 V, 6-Pin UF6 SSM6K403TU
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Toshiba N-Channel MOSFET, 4.2 A, 20 V, 6-Pin UF6 SSM6K403TU
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

4,2 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

UF

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

66 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.35V

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±10 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

2мм

Длина

1.7мм

Типичный заряд затвора при Vgs

16,8 нКл при 4 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.7мм

Страна происхождения

Thailand