Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 мА
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SSM
Серия
SSM3
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
7 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
100 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
1.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
0.8мм
Высота
0.7мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
MOSFET N-Channel, SSM3K Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 мА
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SSM
Серия
SSM3
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
7 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
100 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
1.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
0.8мм
Высота
0.7мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре