Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 мА
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SC-75
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
6 Ω
Максимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.8V
Максимальное рассеяние мощности
100 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
+20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
0.8мм
Длина
1.6мм
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.7мм
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
MOSFET N-Channel, SSM3K Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 мА
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SC-75
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
6 Ω
Максимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.8V
Максимальное рассеяние мощности
100 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
+20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
0.8мм
Длина
1.6мм
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.7мм
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
