Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
4 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
136 мОм
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.8V
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
+20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
1.8мм
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
5.9 НЗ при -10 в НЗ
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.8мм
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
MOSFET P-Channel, SSM3J Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
4 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
136 мОм
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.8V
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
+20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
1.8мм
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
5.9 НЗ при -10 в НЗ
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.8мм
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
