Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
6 A
Максимальное напряжение сток-исток
800 В
Серия
2SK
Тип корпуса
SC-67
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1.7 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
45 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Ширина
4.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10мм
Типичный заряд затвора при Vgs
45 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
15мм
Прямое напряжение диода
1.7V
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
MOSFET N-Channel, Discontinued 2SK Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
6 A
Максимальное напряжение сток-исток
800 В
Серия
2SK
Тип корпуса
SC-67
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1.7 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
45 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Ширина
4.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10мм
Типичный заряд затвора при Vgs
45 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
15мм
Прямое напряжение диода
1.7V
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
