Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
18 A
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Тип корпуса
TO-3PNIS
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
270 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
90 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Типичный заряд затвора при Vgs
80 нКл при 10 В
Ширина
5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.8мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
21мм
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
MOSFET N-Channel, Discontinued 2SK Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
18 A
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Тип корпуса
TO-3PNIS
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
270 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
90 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Типичный заряд затвора при Vgs
80 нКл при 10 В
Ширина
5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.8мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
21мм
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре