Toshiba 2SJ668(TE16L,NQ) MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
5 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
PW Mold
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
170 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
20 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
15 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
5.5мм
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.5мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
2.3мм
Информация о товаре
MOSFET P-Channel, 2SJ Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 10 - 40 | P.O.A. |
| 50 - 190 | P.O.A. |
| 200 - 490 | P.O.A. |
| 500 - 990 | P.O.A. |
| 1000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
5 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
PW Mold
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
170 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
20 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
15 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
5.5мм
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.5мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
2.3мм
Информация о товаре