Toshiba 2SJ668(TE16L,NQ) MOSFET

Код товара RS: 415-174Бренд: ToshibaПарт-номер производителя: 2SJ668(TE16L,NQ)
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

5 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

PW Mold

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

170 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

20 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

5.5мм

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

2.3мм

Информация о товаре

MOSFET P-Channel, 2SJ Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 303,96

Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Toshiba 2SJ668(TE16L,NQ) MOSFET
Select packaging type

тг 303,96

Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Toshiba 2SJ668(TE16L,NQ) MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 303,96тг 3 039,60
50 - 190тг 236,91тг 2 369,10
200 - 490тг 210,09тг 2 100,90
500 - 990тг 187,74тг 1 877,40
1000+тг 169,86тг 1 698,60

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

5 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

PW Mold

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

170 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

20 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

5.5мм

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

2.3мм

Информация о товаре

MOSFET P-Channel, 2SJ Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba