Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип продукции
МОП-транзистор
Диапазон выходных частот
3A
Число контактов
8
Корпус
SOIC
Время спада
7ns
Тип драйвера
МОП-транзистор
Количество выходов
2
Время нарастания
8ns
Минимальное напряжение питания
17V
Количество драйверов
2
Максимальная поддерживаемая емкость памяти
17V
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
140°C
Материал каски/сварочной маски
1.58мм
Длина
4.9мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
3.91 mm
Серия
UCC27201
Тип монтажа
Поверхность
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
A range of dedicated Gate Driver ICs from Texas Instruments suitable for both MOSFET and IGBT applications. The devices are capable of providing suitable high current outputs compatible with the drive requirements of MOSFET and IGBT power devices and are available in a variety of configurations and package types.
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 1 215,84
тг 1 215,84 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 1 215,84
тг 1 215,84 Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
1
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 24 | тг 1 215,84 |
| 25 - 99 | тг 974,46 |
| 100 - 249 | тг 889,53 |
| 250 - 499 | тг 728,61 |
| 500+ | тг 652,62 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип продукции
МОП-транзистор
Диапазон выходных частот
3A
Число контактов
8
Корпус
SOIC
Время спада
7ns
Тип драйвера
МОП-транзистор
Количество выходов
2
Время нарастания
8ns
Минимальное напряжение питания
17V
Количество драйверов
2
Максимальная поддерживаемая емкость памяти
17V
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
140°C
Материал каски/сварочной маски
1.58мм
Длина
4.9мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
3.91 mm
Серия
UCC27201
Тип монтажа
Поверхность
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
A range of dedicated Gate Driver ICs from Texas Instruments suitable for both MOSFET and IGBT applications. The devices are capable of providing suitable high current outputs compatible with the drive requirements of MOSFET and IGBT power devices and are available in a variety of configurations and package types.
