P-Channel MOSFET, 2.3 A, 15 V, 8-Pin SOIC Texas Instruments TPS1101D
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
2,3 А
Максимальное напряжение сток-исток
15 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
90 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
791 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-15 В, +2 В
Типичный заряд затвора при Vgs
11,25 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Длина
4.9мм
Ширина
3.91мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Высота
1.58мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 5 - 120 | P.O.A. |
| 125 - 495 | P.O.A. |
| 500 - 1245 | P.O.A. |
| 1250 - 2495 | P.O.A. |
| 2500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
2,3 А
Максимальное напряжение сток-исток
15 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
90 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
791 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-15 В, +2 В
Типичный заряд затвора при Vgs
11,25 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Длина
4.9мм
Ширина
3.91мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Высота
1.58мм