Texas Instruments CSD87334Q3DT MOSFET

Код товара RS: 133-0157Бренд: Texas InstrumentsПарт-номер производителя: CSD87334Q3DT
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Texas Instruments

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

60 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

NexFET

Тип корпуса

VSON

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

8,3 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.75V

Максимальное рассеяние мощности

6 Вт

Конфигурация транзистора

Двойная база

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +10 В

Ширина

3.4мм

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

10,5 нКл

Высота

1.05мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1V

Информация о товаре

Power MOSFET Modules, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Texas Instruments CSD87334Q3DT MOSFET
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

Texas Instruments CSD87334Q3DT MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Texas Instruments

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

60 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

NexFET

Тип корпуса

VSON

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

8,3 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.75V

Максимальное рассеяние мощности

6 Вт

Конфигурация транзистора

Двойная база

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +10 В

Ширина

3.4мм

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

10,5 нКл

Высота

1.05мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1V

Информация о товаре

Power MOSFET Modules, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments