Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
8 A
Максимальное напряжение сток-исток
12 В
Тип корпуса
PICOSTAR
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
23 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
2,3 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +10 В
Ширина
2.2мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
1.15мм
Типичный заряд затвора при Vgs
8,4 нКл при 4,5 В
Высота
0.2мм
Серия
NexFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре
N-Channel NexFET™ Dual MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
250
P.O.A.
250
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
8 A
Максимальное напряжение сток-исток
12 В
Тип корпуса
PICOSTAR
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
23 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
2,3 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +10 В
Ширина
2.2мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
1.15мм
Типичный заряд затвора при Vgs
8,4 нКл при 4,5 В
Высота
0.2мм
Серия
NexFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре