Texas Instruments NexFET P-Channel MOSFET, 104 A, 20 V, 8-Pin VSON-CLIP CSD25404Q3T

Код товара RS: 168-4942Бренд: Texas InstrumentsПарт-номер производителя: CSD25404Q3T

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

104 A

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Серия

NexFET

Тип корпуса

VSON-CLIP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

150 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.15V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.65V

Максимальное рассеяние мощности

96 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

3.4мм

Длина

3.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

10,8 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1V

Страна происхождения

Philippines

Информация о товаре

P-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

P.O.A.

Texas Instruments NexFET P-Channel MOSFET, 104 A, 20 V, 8-Pin VSON-CLIP CSD25404Q3T

P.O.A.

Texas Instruments NexFET P-Channel MOSFET, 104 A, 20 V, 8-Pin VSON-CLIP CSD25404Q3T

Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

104 A

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Серия

NexFET

Тип корпуса

VSON-CLIP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

150 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.15V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.65V

Максимальное рассеяние мощности

96 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

3.4мм

Длина

3.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

10,8 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1V

Страна происхождения

Philippines

Информация о товаре

P-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments