Texas Instruments CSD19537Q3T MOSFET

Код товара RS: 133-0155Бренд: Texas InstrumentsПарт-номер производителя: CSD19537Q3T
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Texas Instruments

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

53 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

VSON-CLIP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

16,6 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.6V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.6V

Максимальное рассеяние мощности

83 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

3.4мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

44 нКл при 10 В

Высота

1.1мм

Серия

NexFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1V

Информация о товаре

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Texas Instruments CSD19537Q3T MOSFET
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

Texas Instruments CSD19537Q3T MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Texas Instruments

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

53 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

VSON-CLIP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

16,6 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.6V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.6V

Максимальное рассеяние мощности

83 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

3.4мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

44 нКл при 10 В

Высота

1.1мм

Серия

NexFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1V

Информация о товаре

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments