Texas Instruments CSD19536KCS MOSFET

Код товара RS: 121-9764Бренд: Texas InstrumentsПарт-номер производителя: CSD19536KCS
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

259 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

TO-220

Серия

NexFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3,2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.2V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Максимальное рассеяние мощности

375 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

118 нКл при 10 В

Ширина

4.7мм

Количество элементов на ИС

1

Высота

16.51мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Texas Instruments CSD19536KCS MOSFET

P.O.A.

Texas Instruments CSD19536KCS MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

259 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

TO-220

Серия

NexFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3,2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.2V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Максимальное рассеяние мощности

375 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

118 нКл при 10 В

Ширина

4.7мм

Количество элементов на ИС

1

Высота

16.51мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments