Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Серия
NexFET
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
20 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
118 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4.7мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
10.67мм
Типичный заряд затвора при Vgs
17,1 нКл при 0 В
Высота
16.51мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.1V
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Серия
NexFET
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
20 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
118 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4.7мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
10.67мм
Типичный заряд затвора при Vgs
17,1 нКл при 0 В
Высота
16.51мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.1V
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре