Texas Instruments CSD19531KCS MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
110 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
8,8 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.3V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.2V
Максимальное рассеяние мощности
214 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.67мм
Типичный заряд затвора при Vgs
38 нКл при 10 В
Ширина
4.7мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
NexFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
16.51мм
Информация о товаре
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 5 - 45 | P.O.A. |
| 50 - 95 | P.O.A. |
| 100 - 245 | P.O.A. |
| 250 - 495 | P.O.A. |
| 500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
110 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
8,8 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.3V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.2V
Максимальное рассеяние мощности
214 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.67мм
Типичный заряд затвора при Vgs
38 нКл при 10 В
Ширина
4.7мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
NexFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
16.51мм
Информация о товаре