Texas Instruments CSD19502Q5BT MOSFET

Код товара RS: 133-0154Бренд: Texas InstrumentsПарт-номер производителя: CSD19502Q5BT
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Texas Instruments

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

157 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Тип корпуса

VSON-CLIP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

4,8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.3V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Максимальное рассеяние мощности

195 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.1мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

130 нКл при 10 В

Высота

1.05мм

Серия

NexFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1V

Информация о товаре

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Texas Instruments CSD19502Q5BT MOSFET
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

Texas Instruments CSD19502Q5BT MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Texas Instruments

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

157 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Тип корпуса

VSON-CLIP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

4,8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.3V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Максимальное рассеяние мощности

195 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.1мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

130 нКл при 10 В

Высота

1.05мм

Серия

NexFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1V

Информация о товаре

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments