Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
VSONP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
10,8 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.4V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.7V
Максимальное рассеяние мощности
3,2 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5.8мм
Типичный заряд затвора при Vgs
15 нКл при 10 В
Ширина
5мм
Количество элементов на ИС
1
Высота
1.1мм
Серия
NexFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
5 - 45 | P.O.A. |
50 - 95 | P.O.A. |
100 - 245 | P.O.A. |
250 - 495 | P.O.A. |
500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
VSONP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
10,8 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.4V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.7V
Максимальное рассеяние мощности
3,2 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5.8мм
Типичный заряд затвора при Vgs
15 нКл при 10 В
Ширина
5мм
Количество элементов на ИС
1
Высота
1.1мм
Серия
NexFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре