Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 54 A, 60 V, 3-Pin TO-220 CSD18537NKCS

Код товара RS: 145-6646Бренд: Texas InstrumentsПарт-номер производителя: CSD18537NKCS
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

54 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

NexFET

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

18 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.6V

Максимальное рассеяние мощности

79 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.67мм

Ширина

4.7мм

Типичный заряд затвора при Vgs

14 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

16.51мм

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Вас может заинтересовать
Texas Instruments CSD18537NKCS MOSFET
P.O.A.Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 54 A, 60 V, 3-Pin TO-220 CSD18537NKCS

P.O.A.

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 54 A, 60 V, 3-Pin TO-220 CSD18537NKCS
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Вас может заинтересовать
Texas Instruments CSD18537NKCS MOSFET
P.O.A.Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

54 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

NexFET

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

18 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.6V

Максимальное рассеяние мощности

79 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.67мм

Ширина

4.7мм

Типичный заряд затвора при Vgs

14 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

16.51мм

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Вас может заинтересовать
Texas Instruments CSD18537NKCS MOSFET
P.O.A.Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)