N-Channel MOSFET, 54 A, 60 V, 3-Pin TO-220 Texas Instruments CSD18537NKCS

Код товара RS: 145-6646Бренд: Texas InstrumentsПарт-номер производителя: CSD18537NKCS
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

54 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

NexFET

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

18 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.6V

Максимальное рассеяние мощности

79 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

14 нКл при 10 В

Ширина

4.7мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

10.67мм

Количество элементов на ИС

1

Высота

16.51мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 54 A, 60 V, 3-Pin TO-220 Texas Instruments CSD18537NKCS

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 54 A, 60 V, 3-Pin TO-220 Texas Instruments CSD18537NKCS
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

54 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

NexFET

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

18 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.6V

Максимальное рассеяние мощности

79 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

14 нКл при 10 В

Ширина

4.7мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

10.67мм

Количество элементов на ИС

1

Высота

16.51мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments