Texas Instruments CSD18536KTTT MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

349 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Серия

NexFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2,2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.4V

Максимальное рассеяние мощности

375 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

230 нКл при 10 В

Ширина

11.33мм

Количество элементов на ИС

1

Прямое напряжение диода

1V

Высота

4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C