Texas Instruments CSD18535KTTT MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
279 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
NexFET
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,9 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.4V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.4V
Максимальное рассеяние мощности
300 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
11.33мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.67мм
Типичный заряд затвора при Vgs
140 нКл при 10 В
Высота
4.83мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1V
Информация о товаре
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
279 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
NexFET
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,9 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.4V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.4V
Максимальное рассеяние мощности
300 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
11.33мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.67мм
Типичный заряд затвора при Vgs
140 нКл при 10 В
Высота
4.83мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1V
Информация о товаре