Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
69 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SON
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
12,4 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.3V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
3,1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5.8мм
Типичный заряд затвора при Vgs
17 нКл при 10 В
Высота
1.1мм
Серия
NexFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
69 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SON
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
12,4 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.3V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
3,1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5.8мм
Типичный заряд затвора при Vgs
17 нКл при 10 В
Высота
1.1мм
Серия
NexFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре