Texas Instruments N-Channel MOSFET, 204 A, 40 V, 8-Pin VSON-CLIP CSD18502Q5B

Код товара RS: 827-4870Бренд: Texas InstrumentsПарт-номер производителя: CSD18502Q5B
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

204 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Серия

NexFET

Тип корпуса

VSON-CLIP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

3,3 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

3,2 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.1мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

25 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.05мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 5 587,50

тг 1 117,50 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Texas Instruments N-Channel MOSFET, 204 A, 40 V, 8-Pin VSON-CLIP CSD18502Q5B
Select packaging type

тг 5 587,50

тг 1 117,50 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Texas Instruments N-Channel MOSFET, 204 A, 40 V, 8-Pin VSON-CLIP CSD18502Q5B
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 45тг 1 117,50тг 5 587,50
50 - 95тг 822,48тг 4 112,40
100 - 245тг 813,54тг 4 067,70
250 - 495тг 719,67тг 3 598,35
500+тг 612,39тг 3 061,95

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

204 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Серия

NexFET

Тип корпуса

VSON-CLIP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

3,3 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

3,2 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.1мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

25 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.05мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments