Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
204 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
VSON-CLIP
Серия
NexFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
3,3 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
3,2 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
5.1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
25 нКл при 4,5 В
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
Кремний
Высота
1.05мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
204 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
VSON-CLIP
Серия
NexFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
3,3 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
3,2 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
5.1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
25 нКл при 4,5 В
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
Кремний
Высота
1.05мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре