Texas Instruments CSD17579Q3AT MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

11 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

VSCONP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

14,2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

3,2 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

3.5мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

5.3 nC @ 4.5 V

Высота

0.9мм

Серия

NexFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1V

Страна происхождения

Philippines