Texas Instruments CSD17483F4T MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,5 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

PICOSTAR

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

550 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.1V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.65V

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Ширина

0.64мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

1.04мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,01 нКл при 4,5 В

Количество элементов на ИС

1

Высота

0.35мм

Серия

FemtoFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Malaysia