N-Channel MOSFET, 3.1 A, 30 V, 3-Pin PICOSTAR Texas Instruments CSD17381F4T
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
3,1 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
PICOSTAR
Серия
FemtoFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
250 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.1V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.65V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
1.04мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,04 нКл при 4,5 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
0.64мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.35мм
Информация о товаре
N-Channel FemtoFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 20 - 20 | P.O.A. |
| 40 - 80 | P.O.A. |
| 100 - 480 | P.O.A. |
| 500 - 980 | P.O.A. |
| 1000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
3,1 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
PICOSTAR
Серия
FemtoFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
250 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.1V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.65V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
1.04мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,04 нКл при 4,5 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
0.64мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.35мм
Информация о товаре