Texas Instruments CSD17308Q3T MOSFET

Код товара RS: 133-0151Бренд: Texas InstrumentsПарт-номер производителя: CSD17308Q3T
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Texas Instruments

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

50 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

VSON-CLIP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

16,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.8V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.9V

Максимальное рассеяние мощности

28 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

7,4 нКл

Ширина

3.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1V

Серия

NexFET

Высота

1.1мм

Информация о товаре

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Texas Instruments CSD17308Q3T MOSFET
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Texas Instruments CSD17308Q3T MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Texas Instruments

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

50 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

VSON-CLIP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

16,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.8V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.9V

Максимальное рассеяние мощности

28 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

7,4 нКл

Ширина

3.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1V

Серия

NexFET

Высота

1.1мм

Информация о товаре

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments