Texas Instruments CSD17308Q3 MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

47 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

NexFET

Тип корпуса

SON

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

16,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.8V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.9V

Максимальное рассеяние мощности

2,7 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +10 В

Материал транзистора

Кремний

Длина

3.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

3,9 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

3.4мм

Количество элементов на ИС

1

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.1мм