Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 73 A, 30 V, 8-Pin VSONP CSD17307Q5A

Код товара RS: 827-4833Бренд: Texas InstrumentsПарт-номер производителя: CSD17307Q5A
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

73 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

NexFET

Тип корпуса

VSONP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

17,3 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.8V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.9V

Максимальное рассеяние мощности

3 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +10 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

5.8мм

Типичный заряд затвора при Vgs

4 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

5мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

тг 3 307,80

тг 330,78 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 73 A, 30 V, 8-Pin VSONP CSD17307Q5A
Select packaging type

тг 3 307,80

тг 330,78 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 73 A, 30 V, 8-Pin VSONP CSD17307Q5A

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 330,78тг 3 307,80
50 - 90тг 277,14тг 2 771,40
100 - 240тг 259,26тг 2 592,60
250 - 490тг 223,50тг 2 235,00
500+тг 196,68тг 1 966,80

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

73 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

NexFET

Тип корпуса

VSONP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

17,3 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.8V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.9V

Максимальное рассеяние мощности

3 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +10 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

5.8мм

Типичный заряд затвора при Vgs

4 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

5мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments