Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SON
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
3,7 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.6V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.9V
Максимальное рассеяние мощности
3,2 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +10 В
Ширина
5.1мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
6.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
18 нКл при 4,5 В
Высота
1.05мм
Серия
NexFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2500
P.O.A.
2500
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SON
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
3,7 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.6V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.9V
Максимальное рассеяние мощности
3,2 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +10 В
Ширина
5.1мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
6.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
18 нКл при 4,5 В
Высота
1.05мм
Серия
NexFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре