Texas Instruments CSD16413Q5A MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Тип корпуса

SON

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

5,6 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.9V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

3,1 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +16 В

Ширина

5мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

5.8мм

Типичный заряд затвора при Vgs

9 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Серия

NexFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.1мм

Страна происхождения

Malaysia