Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Тип корпуса
SON
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
2,3 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.9V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
3,1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +16 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
21 нКл при 4,5 В
Ширина
5.1мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
NexFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.05мм
Информация о товаре
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
5 - 45 | P.O.A. |
50 - 95 | P.O.A. |
100 - 245 | P.O.A. |
250 - 495 | P.O.A. |
500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Тип корпуса
SON
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
2,3 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.9V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
3,1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +16 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
21 нКл при 4,5 В
Ширина
5.1мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
NexFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.05мм
Информация о товаре