N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V, 8-Pin SON Texas Instruments CSD16342Q5A
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Тип корпуса
SON
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
7,8 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.1V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.6V
Максимальное рассеяние мощности
3 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5.8мм
Типичный заряд затвора при Vgs
6,8 нКл при 4,5 В
Ширина
5мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
NexFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.1мм
Информация о товаре
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 5 - 45 | P.O.A. |
| 50 - 95 | P.O.A. |
| 100 - 245 | P.O.A. |
| 250 - 495 | P.O.A. |
| 500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Тип корпуса
SON
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
7,8 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.1V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.6V
Максимальное рассеяние мощности
3 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5.8мм
Типичный заряд затвора при Vgs
6,8 нКл при 4,5 В
Ширина
5мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
NexFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.1мм
Информация о товаре