N-Channel MOSFET, 60 A, 25 V, 8-Pin SON Texas Instruments CSD16327Q3
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
60 A
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Тип корпуса
SON
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
6,5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.4V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.9V
Максимальное рассеяние мощности
3 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
6,2 нКл при 4,5 В
Ширина
3.4мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.1мм
Серия
NexFET
Информация о товаре
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 5 - 45 | P.O.A. |
| 50 - 95 | P.O.A. |
| 100 - 245 | P.O.A. |
| 250 - 495 | P.O.A. |
| 500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
60 A
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Тип корпуса
SON
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
6,5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.4V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.9V
Максимальное рассеяние мощности
3 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
6,2 нКл при 4,5 В
Ширина
3.4мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.1мм
Серия
NexFET
Информация о товаре